様々なQ値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計 <Abstract> 本研究では,様々なり値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計を行う.シャントキャパシタに含まれるMOSFETの寄生容量の非線形性を考慮したDE級増幅器の従来の解析および設計においては,理想的なフィルタを導入し,また,MOSFETの寄生容量の変数のひとつである不純物濃度を一つの値で仮定している.しかしながら,高出力が要求される場合などには低いQ値で設計することが求められ,また不純物濃度はMOSFETの非線形特性を大きく変える.そのため,これらの変数が回路に与える影響を明らかにすることは極めて重要である.本研究では,様々なQ値においてMOSFETの不純物濃度の値を変動させたときの回路の設計曲線を数値計算により明らかにする. |