様々なQ値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計 <Abstract> 本研究では, 様々なQ 値におけるシャントキャパ シタの非線形性を考慮したDE 級増幅器の設計を行 う. シャントキャパシタに含まれるMOSFETの寄生 容量の非線形性を考慮したDE 級増幅器の従来の解 析および設計においては, 理想的なフィルタを導入し, また, MOSFET の寄生容量の変数のひとつである不 純物濃度を一つの値で仮定している. しかしながら, 高出力が要求される場合などには低いQ 値で設計す ることが求められ, また不純物濃度はMOSFETの非 線形特性を大きく変える. そのため, これらの変数が 回路に与える影響を明らかにすることは極めて重要 である. 本研究では, 様々なQ値においてMOSFET の不純物濃度の値を変動させたときの回路の設計曲 線を数値計算により明らかにする. |