MOSFETのゲート-ドレイン間の寄生容量を考慮したE級増幅器の設計
魏 秀欽, 関屋 大雄, 黒岩 眞吾, 末次 正, Marian K. Kazimierczuk
第23回　回路とシステム軽井沢ワークショップ, pp.67 - 72, Apr., 2010. [pdf document]

<Abstract>

本論文ではMOSFETのゲート-ドレイン間の寄生容量を考慮したE級増幅器の波形式と設計方程式を示す. 設計例を示し, 回路のシミュレーションおよび実験を行う. 電圧波形がE級動作条件を満足することを確認し, 本論文における解析の妥当性を示す. 回路実験において, E級増幅器は出力電力Po=4.04 Wおよび動作周波数f=7 MHzにおいて92.8 %の電力変換効率を達成した. 本論文の結果は, 高周波数環境でのE級増幅器の設計において, MOSFETのゲート-ドレイン間の寄生容量を考慮することの重要性を示している.