様々なQ値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計 <Abstract> E級動作条件は, スイッチにおける電力消費を最小化し, 高周波数動作下において高電力変換効率を可能とする. DE級増幅器[1] では, D級増幅器にスイッチと並列にシャントキャパシタを挿入することでE級動作条件を満足している. 本稿では, シャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計で, 様々なQ 値においてMOSFET内の不純物濃度係数m が変わったときのDE 級増幅器の設計曲線を数値計算により明らかにする. |