E級増幅器を用いたEER送信機におけるMOSFETの非線形容量の影響 <Abstract> 本稿ではE級増幅器に包絡線除去・再生(Envelope Elimination and Restoration:EER)技術を用いた送信機における, MOSFETの寄生容量が出力の包絡線に与える影響を解析的に表現する. 本稿では, ドレイン-ソース間の非線形寄生容量およびゲート-ドレイン間の線形寄生容量を考慮する. 解析結果および実験結果より, MOSFETの非線形容量の影響で出力電圧の包絡線は供給電圧に対して非線形特性を呈することが示される. さらに, 入力電圧波形により出力電圧および入力電圧と出力電圧の位相差に影響を与えることを示す. |